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Numero parte | FDG312P |
LIXINC Part # | FDG312P |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDG312P Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDG312P |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.2A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 1.2A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 330 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 750mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SC-88 (SC-70-6) |
pacchetto/caso: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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In magazzino | 638748 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.17000 | $0.17 |
3000 | $0.15686 | $470.58 |
6000 | $0.14674 | $880.44 |
15000 | $0.13662 | $2049.3 |
30000 | $0.12954 | $3886.2 |
75000 | $0.12880 | $9660 |
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