FDG312P

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Numero parte FDG312P
LIXINC Part # FDG312P
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDG312P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDG312P Specifiche

Numero parte:FDG312P
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:330 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-88 (SC-70-6)
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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