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Numero parte | STP10N62K3 |
LIXINC Part # | STP10N62K3 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STP10N62K3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STP10N62K3 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | SuperMESH3™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 620 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8.4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1250 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
EPC2059 | TRANS GAN 170V DIE .009OHM | 18166 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPU06N03LZG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 173462 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11000 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.11000 | $2.11 |
50 | $1.70028 | $85.014 |
100 | $1.53027 | $153.027 |
500 | $1.19023 | $595.115 |
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