STP10N62K3

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Numero parte STP10N62K3
LIXINC Part # STP10N62K3
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STP10N62K3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida)
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STP10N62K3 Specifiche

Numero parte:STP10N62K3
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:SuperMESH3™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):620 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:750mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1250 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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