SI4925BDY-T1-GE3

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Numero parte SI4925BDY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4925BDY-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI4925BDY-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 13 - Jun 17 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI4925BDY-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SI4925BDY-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.3A
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:50nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
potenza - max:1.1W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO

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