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Numero parte | SIZ340BDT-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIZ340BDT-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIZ340BDT-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 14 - Jun 18 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIZ340BDT-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) |
rds su (max) @ id, vgs: | 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V |
potenza - max: | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-PowerWDFN |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-Power33 (3x3) |
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In magazzino | 10949 - Maggiori informazioni su Ordine |
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