VS-GT80DA120U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

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Numero parte	VS-GT80DA120U
LIXINC Part #	VS-GT80DA120U
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	VS-GT80DA120U Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 04 - Jun 08 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

VS-GT80DA120U Specifiche

Numero parte:	VS-GT80DA120U
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	HEXFRED®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench
configurazione:	Single
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	139 A
potenza - max:	658 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 80A
corrente - taglio collettore (max):	100 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	4.4 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	SOT-227-4, miniBLOC
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-227

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FF200R12KE4PHOSA1	IGBT MODULE 1200V 200A	961 Maggiori informazioni su Ordine