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RQA0002DNSTB-E

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Numero parte	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RQA0002DNSTB-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 18 - May 22 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RQA0002DNSTB-E Specifiche

Numero parte:	RQA0002DNSTB-E
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Renesas Electronics America
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	16 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (massimo) @ id:	750mV @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	102 pF @ 0 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	15W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	2-HWSON (5x4)
pacchetto/caso:	3-DFN Exposed Pad

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IXFV16N80PS	MOSFET N-CH 800V 16A PLUS-220SMD	958 Maggiori informazioni su Ordine

In magazzino	10817 - Maggiori informazioni su Ordine
Limite di quotazione	Senza limiti
Tempi di consegna	Essere confermato
Minimo	1

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