FDD16AN08A0-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD16AN08A0-F085

FDD16AN08A0-F085

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Numero parte	FDD16AN08A0-F085
LIXINC Part #	FDD16AN08A0-F085
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDD16AN08A0-F085 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDD16AN08A0-F085 Specifiche

Numero parte:	FDD16AN08A0-F085
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta), 50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	47 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1874 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	135W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-252AA
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTP44N30T	MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB	815 Maggiori informazioni su Ordine
SI7392ADP-T1-E3	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8	994 Maggiori informazioni su Ordine
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