RJK2057DPA-WS#J0

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Numero parte RJK2057DPA-WS#J0
LIXINC Part # RJK2057DPA-WS#J0
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RJK2057DPA-WS#J0 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RJK2057DPA-WS#J0 Specifiche

Numero parte:RJK2057DPA-WS#J0
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:85mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1250 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-WPAK
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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