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Numero parte | IRFB3306PBF |
LIXINC Part # | IRFB3306PBF |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRFB3306PBF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 14 - Jun 18 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | IRFB3306PBF |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | HEXFET® |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 150µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 120 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 4520 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 12757 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.80000 | $1.8 |
50 | $1.47118 | $73.559 |
100 | $1.33355 | $133.355 |
500 | $1.05832 | $529.16 |
1000 | $0.89319 | $893.19 |
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