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Numero parte | BSS84PWH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSS84PWH6327XTSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSS84PWH6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSS84PWH6327XTSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | SIPMOS® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 150mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 8Ohm @ 150mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 20µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 19.1 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-SOT323-3 |
pacchetto/caso: | SC-70, SOT-323 |
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In magazzino | 37509 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.36000 | $0.36 |
3000 | $0.07418 | $222.54 |
6000 | $0.06518 | $391.08 |
15000 | $0.05618 | $842.7 |
30000 | $0.05318 | $1595.4 |
75000 | $0.05018 | $3763.5 |
150000 | $0.04418 | $6627 |
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