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Numero parte | DMP1081UCB4-7 |
LIXINC Part # | DMP1081UCB4-7 |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DMP1081UCB4-7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | May 20 - May 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | DMP1081UCB4-7 |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 12 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 3A (Ta), 3.3A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 0.9V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 10Ohm @ 100mA, 0.9V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 650mV @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | -6V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 350 pF @ 6 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 820mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | U-WLB1010-4 |
pacchetto/caso: | 4-UFBGA, WLBGA |
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In magazzino | 15361 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.75000 | $0.75 |
3000 | $0.30122 | $903.66 |
6000 | $0.28045 | $1682.7 |
15000 | $0.27006 | $4050.9 |
30000 | $0.26440 | $7932 |
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