IRFP3703PBF

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Numero parte IRFP3703PBF
LIXINC Part # IRFP3703PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFP3703PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFP3703PBF Specifiche

Numero parte:IRFP3703PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:210A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):7V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:209 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8250 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 230W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247AC
pacchetto/caso:TO-247-3

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