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IRF1010NPBF

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Numero parte	IRF1010NPBF
LIXINC Part #	IRF1010NPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF1010NPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 17 - May 21 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF1010NPBF Specifiche

Numero parte:	IRF1010NPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	85A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3210 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	180W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

NTMFS4825NFET1G	MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN	7333 Maggiori informazioni su Ordine
2SJ492-AZ	P-CHANNEL POWER MOSFET	985 Maggiori informazioni su Ordine
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