NVD5867NLT4G

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Numero parte NVD5867NLT4G
LIXINC Part # NVD5867NLT4G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVD5867NLT4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVD5867NLT4G Specifiche

Numero parte:NVD5867NLT4G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A (Ta), 22A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:39mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:675 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 43W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK (SINGLE GAUGE)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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