IRF100B201 | IR (Infineon Technologies) IRF100B201 | IRF100B201 Inventory, Best Pricing

IRF100B201

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Numero parte	IRF100B201
LIXINC Part #	IRF100B201
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF100B201 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 17 - May 21 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF100B201 Specifiche

Numero parte:	IRF100B201
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	192A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 115A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	255 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	9500 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	441W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

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IRLML5103TRPBF	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23	812 Maggiori informazioni su Ordine
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SI3437DV-T1-E3	MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP	6242 Maggiori informazioni su Ordine
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IPP80N06S407AKSA1	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3-1	9824 Maggiori informazioni su Ordine
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FDD5N50NZTM	MOSFET N-CH 500V 4A DPAK	2531 Maggiori informazioni su Ordine
IRFR420APBF	MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK	900 Maggiori informazioni su Ordine