IPB042N10N3GE8187ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1 | IPB042N10N3GE8187ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB042N10N3GE8187ATMA1

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Numero parte	IPB042N10N3GE8187ATMA1
LIXINC Part #	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB042N10N3GE8187ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB042N10N3GE8187ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	117 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	8410 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	214W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOT5N50	MOSFET N-CH 500V 5A TO220	979 Maggiori informazioni su Ordine
VN10LP	MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3	35594958 Maggiori informazioni su Ordine
MTB55N06ZT4	N-CHANNEL POWER MOSFET	12100 Maggiori informazioni su Ordine
RQ3E120ATTB	MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT	2234 Maggiori informazioni su Ordine
IXFB300N10P	MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264	1586 Maggiori informazioni su Ordine
TK65S04N1L,LQ	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK	3625 Maggiori informazioni su Ordine
VP2106N3-G	MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3	1589 Maggiori informazioni su Ordine
IRFH5015TRPBF	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN	1542 Maggiori informazioni su Ordine
IPP037N08N3GXKSA1	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3	983 Maggiori informazioni su Ordine
IXTH2N150L	MOSFET N-CH 1500V 2A TO247	887 Maggiori informazioni su Ordine
IPD30N06S2L23ATMA1	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3	854 Maggiori informazioni su Ordine
FQB50N06TM	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK	1166 Maggiori informazioni su Ordine
STD52P3LLH6	MOSFET P-CH 30V 52A DPAK	2648 Maggiori informazioni su Ordine