TK33S10N1Z,LXHQ

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Numero parte TK33S10N1Z,LXHQ
LIXINC Part # TK33S10N1Z,LXHQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK33S10N1Z,LXHQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TK33S10N1Z,LXHQ Specifiche

Numero parte:TK33S10N1Z,LXHQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:33A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2050 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK+
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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