BSC014N04LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC014N04LSIATMA1

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Numero parte	BSC014N04LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC014N04LSIATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSC014N04LSIATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 20 - May 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSC014N04LSIATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSC014N04LSIATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	31A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4000 pF @ 20 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TDSON-8 FL
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

FQI50N06LTU	MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK	2686 Maggiori informazioni su Ordine
ZVN4206AV	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	5872 Maggiori informazioni su Ordine
IPN50R2K0CEATMA1	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223	6511 Maggiori informazioni su Ordine
TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2800 Maggiori informazioni su Ordine
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	980 Maggiori informazioni su Ordine
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15857 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3831 Maggiori informazioni su Ordine
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	990 Maggiori informazioni su Ordine
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9220 Maggiori informazioni su Ordine
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1041 Maggiori informazioni su Ordine
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6333 Maggiori informazioni su Ordine
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	992 Maggiori informazioni su Ordine
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15373 Maggiori informazioni su Ordine