IRF1010EZPBF

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Numero parte IRF1010EZPBF
LIXINC Part # IRF1010EZPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF1010EZPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF1010EZPBF Specifiche

Numero parte:IRF1010EZPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:8.5mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2810 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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