IRFH8201TRPBF

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Numero parte IRFH8201TRPBF
LIXINC Part # IRFH8201TRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFH8201TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFH8201TRPBF Specifiche

Numero parte:IRFH8201TRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®, StrongIRFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:49A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.35V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:111 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7330 pF @ 13 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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