TPN4R712MD,L1Q

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Numero parte TPN4R712MD,L1Q
LIXINC Part # TPN4R712MD,L1Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPN4R712MD,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata May 21 - May 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPN4R712MD,L1Q Specifiche

Numero parte:TPN4R712MD,L1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4300 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):42W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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