3LN01C-TB-E

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Numero parte 3LN01C-TB-E
LIXINC Part # 3LN01C-TB-E
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 3LN01C-TB-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata May 14 - May 18 2024(Scegli spedizione rapida)
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3LN01C-TB-E Specifiche

Numero parte:3LN01C-TB-E
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:150mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4V
rds su (max) @ id, vgs:3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:1.58 nC @ 10 V
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):250mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:3-CP
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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