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STD25N10F7

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Numero parte	STD25N10F7
LIXINC Part #	STD25N10F7
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	STD25N10F7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

STD25N10F7 Specifiche

Numero parte:	STD25N10F7
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	DeepGATE™, STripFET™ VII
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	920 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	40W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STB11NM60T4	MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK	1865 Maggiori informazioni su Ordine
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DMN63D1LW-7	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323	166000 Maggiori informazioni su Ordine
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FDD3580	MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK	9300 Maggiori informazioni su Ordine
SFW9510TM	P-CHANNEL POWER MOSFET	11193 Maggiori informazioni su Ordine
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STP15N60M2-EP	MOSFET N-CH 600V 11A TO220	1455 Maggiori informazioni su Ordine