LND01K1-G | Roving Networks / Microchip Technology LND01K1-G

LND01K1-G

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Numero parte	LND01K1-G
LIXINC Part #	LND01K1-G
Produttore	Roving Networks / Microchip Technology
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	LND01K1-G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 19 - May 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

LND01K1-G Specifiche

Numero parte:	LND01K1-G
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	9 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	330mA (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	0V
rds su (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	+0.6V, -12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	46 pF @ 5 V
caratteristica del feto:	Depletion Mode
dissipazione di potenza (max):	360mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-25°C ~ 125°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-23-5
pacchetto/caso:	SC-74A, SOT-753

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