SSM3J331R,LF

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Numero parte SSM3J331R,LF
LIXINC Part # SSM3J331R,LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSM3J331R,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida)
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SSM3J331R,LF Specifiche

Numero parte:SSM3J331R,LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:55mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10.4 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:630 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-23F
pacchetto/caso:SOT-23-3 Flat Leads

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