IRFZ24NPBF

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Numero parte IRFZ24NPBF
LIXINC Part # IRFZ24NPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFZ24NPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 14 - Jun 18 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRFZ24NPBF Specifiche

Numero parte:IRFZ24NPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:370 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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