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NTMFS4H02NFT1G

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Numero parte	NTMFS4H02NFT1G
LIXINC Part #	NTMFS4H02NFT1G
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTMFS4H02NFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 13 - Jun 17 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTMFS4H02NFT1G Specifiche

Numero parte:	NTMFS4H02NFT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	37A (Ta), 193A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	40.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.652 pF @ 12 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.13W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

FDP15N65	MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3	882 Maggiori informazioni su Ordine
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NTMYS021N06CLTWG	MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK	27636863 Maggiori informazioni su Ordine
IXFR44N50P	MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247	5035 Maggiori informazioni su Ordine
CSD17576Q5B	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON	1816 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFU9014PBF	MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA	1961 Maggiori informazioni su Ordine
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US6U37TR	MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6	2324 Maggiori informazioni su Ordine