GA10SICP12-263

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Numero parte GA10SICP12-263
LIXINC Part # GA10SICP12-263
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD GA10SICP12-263 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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GA10SICP12-263 Specifiche

Numero parte:GA10SICP12-263
Marca:GeneSiC Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:GeneSiC Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:-
tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 10A
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1403 pF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):170W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK (7-Lead)
pacchetto/caso:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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