GA50JT12-247

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Numero parte GA50JT12-247
LIXINC Part # GA50JT12-247
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD GA50JT12-247 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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GA50JT12-247 Specifiche

Numero parte:GA50JT12-247
Marca:GeneSiC Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:GeneSiC Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:-
tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7209 pF @ 800 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):583W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247AB
pacchetto/caso:TO-247-3

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