SIA413DJ-T1-GE3

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Numero parte SIA413DJ-T1-GE3
LIXINC Part # SIA413DJ-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIA413DJ-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata May 18 - May 22 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIA413DJ-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIA413DJ-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Single
pacchetto/caso:PowerPAK® SC-70-6

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