IPB025N10N3GE8187ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB025N10N3GE8187ATMA1 | IPB025N10N3GE8187ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB025N10N3GE8187ATMA1

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Numero parte	IPB025N10N3GE8187ATMA1
LIXINC Part #	IPB025N10N3GE8187ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB025N10N3GE8187ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB025N10N3GE8187ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB025N10N3GE8187ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 275µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	206 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	14800 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-7
pacchetto/caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

DMN4035L-7	MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23	3823 Maggiori informazioni su Ordine
STF10NM50N	MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP	883 Maggiori informazioni su Ordine
IPB47N10SL-26	IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU	967 Maggiori informazioni su Ordine
NTP75N03-006	MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB	7067 Maggiori informazioni su Ordine
FQPF2N80	MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F	1898 Maggiori informazioni su Ordine
SI4477DY-T1-GE3	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO	985 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRFS4610TRL	MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK	854 Maggiori informazioni su Ordine
STP16NF06	MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB	3352 Maggiori informazioni su Ordine
STH185N10F3-2	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2	846 Maggiori informazioni su Ordine
NTS4173PT1G	MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3	894 Maggiori informazioni su Ordine
IRFI634GPBF	MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3	1396 Maggiori informazioni su Ordine
SIHB25N50E-GE3	MOSFET N-CH 500V 26A TO263	995 Maggiori informazioni su Ordine
RQ6E055BNTCR	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6	1018 Maggiori informazioni su Ordine