UF3SC065030D8S

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Numero parte UF3SC065030D8S
LIXINC Part # UF3SC065030D8S
Produttore UnitedSiC
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD UF3SC065030D8S Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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UF3SC065030D8S Specifiche

Numero parte:UF3SC065030D8S
Marca:UnitedSiC
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:UnitedSiC
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Cascode SiCJFET)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):12V
rds su (max) @ id, vgs:42mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id:6V @ 10mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 12 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):179W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-DFN (8x8)
pacchetto/caso:4-PowerTSFN

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