UF3C065080K4S | UnitedSiC UF3C065080K4S | UF3C065080K4S Inventory, Best Pricing

UF3C065080K4S

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Numero parte	UF3C065080K4S
LIXINC Part #	UF3C065080K4S
Produttore	UnitedSiC
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	UF3C065080K4S Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jun 13 - Jun 17 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

UF3C065080K4S Specifiche

Numero parte:	UF3C065080K4S
Marca:	UnitedSiC
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	UnitedSiC
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	-
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	31A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	12V
rds su (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id:	6V @ 10mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	43 nC @ 12 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	190W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247-4
pacchetto/caso:	TO-247-4

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