CSD17313Q2

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Numero parte CSD17313Q2
LIXINC Part # CSD17313Q2
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD17313Q2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 16 - Jun 20 2024(Scegli spedizione rapida)
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CSD17313Q2 Specifiche

Numero parte:CSD17313Q2
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):3V, 8V
rds su (max) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:1.8V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):+10V, -8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:340 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-WSON (2x2)
pacchetto/caso:6-WDFN Exposed Pad

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