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Numero parte | ZXMN10A11GTA |
LIXINC Part # | ZXMN10A11GTA |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | ZXMN10A11GTA Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 16 - Jun 20 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | ZXMN10A11GTA |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.7A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 6V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.4 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 274 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-223 |
pacchetto/caso: | TO-261-4, TO-261AA |
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In magazzino | 483919912 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.76000 | $0.76 |
1000 | $0.37240 | $372.4 |
2000 | $0.34106 | $682.12 |
5000 | $0.32016 | $1600.8 |
10000 | $0.30970 | $3097 |
25000 | $0.30400 | $7600 |
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