IRF7807ZPBF

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Numero parte IRF7807ZPBF
LIXINC Part # IRF7807ZPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF7807ZPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 02 - Jun 06 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRF7807ZPBF Specifiche

Numero parte:IRF7807ZPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.25V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:770 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SO
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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