BSO615NGHUMA1

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Numero parte BSO615NGHUMA1
LIXINC Part # BSO615NGHUMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSO615NGHUMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata May 20 - May 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSO615NGHUMA1 Specifiche

Numero parte:BSO615NGHUMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.6A
rds su (max) @ id, vgs:150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:380pF @ 25V
potenza - max:2W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-DSO-8

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