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Numero parte | SSM6N48FU,RF(D |
LIXINC Part # | SSM6N48FU,RF(D |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SSM6N48FU,RF(D Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 04 - Jun 08 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SSM6N48FU,RF(D |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100mA (Ta) |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.2Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 15.1pF @ 3V |
potenza - max: | 300mW |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | US6 |
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In magazzino | 10878 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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