SSM6N48FU,RF(D

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Numero parte SSM6N48FU,RF(D
LIXINC Part # SSM6N48FU,RF(D
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSM6N48FU,RF(D Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 04 - Jun 08 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SSM6N48FU,RF(D Specifiche

Numero parte:SSM6N48FU,RF(D
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Logic Level Gate, 2.5V Drive
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100mA (Ta)
rds su (max) @ id, vgs:3.2Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:15.1pF @ 3V
potenza - max:300mW
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:US6

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