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Numero parte | CSD85301Q2 |
LIXINC Part # | CSD85301Q2 |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD85301Q2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | May 18 - May 22 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD85301Q2 |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate, 5V Drive |
tensione drain-source (vdss): | 20V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 5A |
rds su (max) @ id, vgs: | 27mOhm @ 5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.4nC @ 4.5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 469pF @ 10V |
potenza - max: | 2.3W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-WDFN Exposed Pad |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-WSON (2x2) |
APTM50AM24SG | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | 867 Maggiori informazioni su Ordine |
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NTMD6N02R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 22361 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 19133 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.67000 | $0.67 |
3000 | $0.22208 | $666.24 |
6000 | $0.20775 | $1246.5 |
15000 | $0.20059 | $3008.85 |
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