NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

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Numero parte	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFD5C650NLT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 21 - May 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFD5C650NLT1G Specifiche

Numero parte:	NVMFD5C650NLT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Standard
tensione drain-source (vdss):	60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 98µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2546pF @ 25V
potenza - max:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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