BSD223PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSD223PH6327XTSA1 | BSD223PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSD223PH6327XTSA1

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Numero parte	BSD223PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSD223PH6327XTSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSD223PH6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	May 19 - May 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSD223PH6327XTSA1 Specifiche

Numero parte:	BSD223PH6327XTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 P-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	390mA
rds su (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.2V @ 1.5µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	0.62nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	56pF @ 15V
potenza - max:	250mW
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-SOT363-6

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