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Numero parte | CSD87312Q3E |
LIXINC Part # | CSD87312Q3E |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD87312Q3E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 04 - Jun 08 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD87312Q3E |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 27A |
rds su (max) @ id, vgs: | 33mOhm @ 7A , 8V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 8.2nC @ 4.5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1250pF @ 15V |
potenza - max: | 2.5W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-VSON (3.3x3.3) |
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In magazzino | 331510960 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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