DTC123EUAT106

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Numero parte DTC123EUAT106
LIXINC Part # DTC123EUAT106
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DTC123EUAT106 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 15 - Jun 19 2024(Scegli spedizione rapida)
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DTC123EUAT106 Specifiche

Numero parte:DTC123EUAT106
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Not For New Designs
tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
corrente - collettore (ic) (max):100 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
resistenza - base (r1):2.2 kOhms
resistenza - base emettitore (r2):2.2 kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 20mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):500nA
frequenza - transizione:250 MHz
potenza - max:200 mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SC-70, SOT-323
pacchetto del dispositivo del fornitore:UMT3

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